NHDTA123JTR
![chất lượng [#varpname#] nhà máy sản xuất](/images/load_icon.gif){kind=icon}
Mô tả:
NHDTA123JT/SOT23/TO-236AB
Nhóm:
Thiết bị bán dẫn rời rạc
Trong kho:
trong kho
Phương thức thanh toán:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Phương pháp vận chuyển:
LCL, HÀNG KHÔNG, FCL, Chuyển phát nhanh
Thông số kỹ thuật
Nhóm:
Sản phẩm bán dẫn rời rạc Transistor Transistor lưỡng cực (BJT) Transistor lưỡng cực đơn, tiền phân c
Hiện tại - Bộ thu (Ic) (Tối đa):
100mA
Tình trạng sản phẩm:
Hoạt động
Loại bóng bán dẫn:
PNP - Tiền thiên vị
Tần suất - Chuyển tiếp:
150 MHz
Loại lắp đặt:
Mặt đất
Gói:
Dây băng và cuộn (TR)
Dây cắt (CT)
Digi-Reel®
Dòng:
Ô tô, AEC-Q101
Độ bão hòa Vce (Tối đa) @ Ib, Ic:
100mV @ 500µA, 10mA
Điện áp - Sự cố bộ phát Collector (Tối đa):
80 V
Bao gồm thiết bị của nhà cung cấp:
TO-236AB
Điện trở - Đế (R1):
2,2 kOhm
Mfr:
Nexperia USA Inc.
Điện trở - Cơ sở phát (R2):
47 kOhms
Hiện tại - Collector Cutoff (Tối đa):
100nA
Sức mạnh tối đa:
250 mW
Bao bì / Vỏ:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mức tăng dòng điện một chiều (hFE) (Tối thiểu) @ Ic, Vce:
100 @ 10mA, 5V
Số sản phẩm cơ bản:
NHDTA123
Lời giới thiệu
Bipolar Transistor (BJT) Pre-Biased PNP - Pre-Biased 80 V 100 mA 150 MHz 250 mW Bề mặt TO-236AB
Các thẻ:
Thiết bị bán dẫn rời rạc
Gửi RFQ
Sở hữu:
In Stock
MOQ: