MG35P12P3
![chất lượng [#varpname#] nhà máy sản xuất](/images/load_icon.gif){kind=icon}
Mô tả:
Transistor - IGBT - Module P3
Nhóm:
Thiết bị bán dẫn rời rạc
Trong kho:
trong kho
Phương thức thanh toán:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Phương pháp vận chuyển:
LCL, HÀNG KHÔNG, FCL, Chuyển phát nhanh
Thông số kỹ thuật
Nhóm:
Sản phẩm bán dẫn rời rạc Bóng bán dẫn IGBT Mô-đun IGBT
Hiện tại - Bộ thu (Ic) (Tối đa):
35 A
Tình trạng sản phẩm:
Hoạt động
Loại lắp đặt:
khung gầm
Gói:
Nhập xách
Dòng:
-
Bao bì / Vỏ:
mô-đun
Vce(bật) (Tối đa) @ Vge, Ic:
2.25V @ 15V, 35A
Điện áp - Sự cố bộ phát Collector (Tối đa):
1200 V
Bao gồm thiết bị của nhà cung cấp:
-
Mfr:
Công nghệ Yangjie
Nhiệt độ hoạt động:
-40°C ~ 150°C (TJ)
Hiện tại - Collector Cutoff (Tối đa):
1mA
Loại IGBT:
-
Sức mạnh tối đa:
215 W
Nhập:
Bộ chỉnh lưu cầu ba pha
Điện dung đầu vào (Cies) @ Vce:
2 nF @ 25 V
Cấu hình:
Biến tần ba pha có phanh
Nhiệt điện trở NTC:
Vâng
Lời giới thiệu
IGBT Module Three Phase Inverter với phanh 1200 V 35 A 215 W Chassis Mount
Các thẻ:
Thiết bị bán dẫn rời rạc
Gửi RFQ
Sở hữu:
In Stock
MOQ: